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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD65R250C6, 16 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 2.41mm,
• 制造商零件编号：
  IPD65R250C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7125
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD220N06L3 G, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 2.41mm,
• 制造商零件编号：
  IPD220N06L3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7435
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD350N06L G, 29 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 2.41mm,
• 制造商零件编号：
  IPD350N06L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7496
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET SPD50P03L G, 50 A, Vds=30 V, 5引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 2.41mm,
• 制造商零件编号：
  SPD50P03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8495
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD031N03L G, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 2.41mm,
• 制造商零件编号：
  IPD031N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5446
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD105N04L G, 40 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 2.41mm,
• 制造商零件编号：
  IPD105N04L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5468
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD320N20N3 G, 34 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 2.41mm,
• 制造商零件编号：
  IPD320N20N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5474
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD600N25N3 G, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 2.41mm,
• 制造商零件编号：
  IPD600N25N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5478
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD65R600E6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 2.41mm,
• 制造商零件编号：
  IPD65R600E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5591
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD042P03L3GATMA1, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 2.41mm,
• 制造商零件编号：
  IPD042P03L3GATMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9051
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD036N04L G, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 2.41mm,
• 制造商零件编号：
  IPD036N04L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9364
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD088N06N3G, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 2.41mm,
• 制造商零件编号：
  IPD088N06N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5081
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD15P10PG, 15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 2.41mm,
• 制造商零件编号：
  SPD15P10PG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5300
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R520CP, 7.1 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 2.41mm,
• 制造商零件编号：
  IPD50R520CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5334
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD15P10PLG, 15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 2.41mm,
• 制造商零件编号：
  SPD15P10PLG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5347
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD040N03LGBTMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 2.41mm,
• 制造商零件编号：
  IPD040N03LGBTMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4562
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N03S2L-20, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 2.41mm,
• 制造商零件编号：
  IPD30N03S2L-20
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4580
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N06S2-23, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 2.41mm,
• 制造商零件编号：
  IPD30N06S2-23
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4584
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPD30N06S4L-23, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 2.41mm,
• 制造商零件编号：
  IPD30N06S4L-23
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4593
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD40N03S4L-08, 40 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 2.41mm,
• 制造商零件编号：
  IPD40N03S4L-08
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4596
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50R1K4CEBTMA1, 3.1 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 2.41mm,
• 制造商零件编号：
  IPD50R1K4CEBTMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4607
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 P沟道 Si MOSFET IPD70P04P4L-08, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 2.41mm,
• 制造商零件编号：
  IPD70P04P4L-08
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4613
  
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• Infineon CoolMOS P6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD60R600P6, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 2.41mm,
• 制造商零件编号：
  IPD60R600P6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7298
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD60R600E6, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 2.41mm,
• 制造商零件编号：
  IPD60R600E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7330
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IPU50R950CE, 4.3 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：高度 2.41mm,
• 制造商零件编号：
  IPU50R950CE
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7614
  
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