产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
HY Electronic Corp W10G 单相 整流桥, 1.5A 1000V, 4引脚 WOG封装
产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
制造商零件编号:
W10G
品牌:
HY Electronic Corp
库存编号:
917-9054
搜索
HY Electronic Corp 2W10G 单相 整流桥, 2A 1000V, 4引脚 WOG封装
产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
制造商零件编号:
2W10G
品牌:
HY Electronic Corp
库存编号:
917-9041
搜索
HY Electronic Corp 2W10MG 单相 整流桥, 2A 1000V 共阳极,共用阴极, 4引脚 WOBM封装
产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
制造商零件编号:
2W10MG
品牌:
HY Electronic Corp
库存编号:
917-9076
搜索
HY Electronic Corp 2W06G 单相 整流桥, 2A 600V, 4引脚 WOG封装
产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
制造商零件编号:
2W06G
品牌:
HY Electronic Corp
库存编号:
917-9048
搜索
HY Electronic Corp 2W06MG 单相 整流桥, 2A 600V 共阳极,共用阴极, 4引脚 WOBM封装
产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
制造商零件编号:
2W06MG
品牌:
HY Electronic Corp
库存编号:
917-9067
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STMicroelectronics STGB6NC60HD N沟道 IGBT, 15 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
制造商零件编号:
STGB6NC60HD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
284-019
搜索
STMicroelectronics STGB20H60DF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
制造商零件编号:
STGB20H60DF
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
860-7549
搜索
STMicroelectronics STGB20V60F N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
制造商零件编号:
STGB20V60F
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
860-7555
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STMicroelectronics STGB7H60DF N沟道 IGBT, 14 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
制造商零件编号:
STGB7H60DF
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-2789
搜索
STMicroelectronics STGB7NC60HD N沟道 IGBT, 25 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
制造商零件编号:
STGB7NC60HD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
284-047
搜索
STMicroelectronics STGB20V60DF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
制造商零件编号:
STGB20V60DF
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
860-7551
搜索
STMicroelectronics STGB10NC60KD N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
制造商零件编号:
STGB10NC60KD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
284-075
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STMicroelectronics STGB10NB37LZ N沟道 IGBT, 20 A, Vce=375 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
制造商零件编号:
STGB10NB37LZ
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
686-8350
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STMicroelectronics STGB20N40LZ N沟道 IGBT, 25 A, Vce=425 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
制造商零件编号:
STGB20N40LZ
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5760
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STMicroelectronics STGB10NC60KDT4 N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
制造商零件编号:
STGB10NC60KDT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
795-8975
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STMicroelectronics STGB10M65DF2 N沟道 IGBT, 20 A, Vce=650 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
制造商零件编号:
STGB10M65DF2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-2782
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STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STB18N60DM2, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
制造商零件编号:
STB18N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6459
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STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB35NF10, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
制造商零件编号:
STB35NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7232
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STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB40NF10, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
制造商零件编号:
STB40NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7248
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STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB55NF06L, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
制造商零件编号:
STB55NF06L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-1922
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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB80NF10T4, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
制造商零件编号:
STB80NF10T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5080
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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB100NF04T4, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
制造商零件编号:
STB100NF04T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5093
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STB9NK50ZT4, 7.2 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
制造商零件编号:
STB9NK50ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5184
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB11NM60T4, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
制造商零件编号:
STB11NM60T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9474
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STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB155N3H6, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:高度 4.6mm,
制造商零件编号:
STB155N3H6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9480
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