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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET BUZ11_NR4941, 30 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 180 ns,
• 制造商零件编号：
  BUZ11_NR4941
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-3515
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100A06N1,S4X(S, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 180 ns,
• 制造商零件编号：
  TK100A06N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6097
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100A06N1,S4X(S, 263 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 180 ns,
• 制造商零件编号：
  TK100A06N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2853
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK100A06N1,S4X(S, 263 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 180 ns,
• 制造商零件编号：
  TK100A06N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4971
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7730PBF, 246 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 180 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFB7730PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3315
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7730PBF, 246 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：半导体,规格：典型关断延迟时间 180 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFS7730PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3359
  
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