产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 2.8 W,
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL024ZPBF, 5 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
IRLL024ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4463
搜索
Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSC026N02KS G, 100 A, Vds=20 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
BSC026N02KS G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8154
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL024ZTRPBF, 5.1 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
IRFL024ZTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3990
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH3702TRPBF, 42 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
IRFH3702TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-4995
查看其他仓库
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6725MTR1PBF, 28 A, Vds=30 V, 7引脚 DirectFET MX封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
IRF6725MTR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6778
查看其他仓库
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6727MTR1PBF, 32 A, Vds=30 V, 7引脚 DirectFET MX封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
IRF6727MTR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6780
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6797MTR1PBF, 36 A, Vds=25 V, 7引脚 DirectFET MX封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
IRF6797MTR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6790
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4315PBF, 2.6 A, Vds=150 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
IRFL4315PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4007
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4315TRPBF, 2.6 A, Vds=150 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
IRFL4315TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5822
搜索
Infineon DirectFET, HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6717MTR1PBF, 38 A, Vds=25 V, 7引脚 DirectFET MX封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
IRF6717MTR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6756
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Infineon DirectFET, HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6715MTR1PBF, 34 A, Vds=25 V, 7引脚 DirectFET MX封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
IRF6715MTR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6759
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6795MTR1PBF, 32 A, Vds=25 V, 7引脚 DirectFET MX封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
IRF6795MTR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6796
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFHM9331TRPBF, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
IRFHM9331TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7316
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC046N02KS G, 80 A, Vds=20 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:半导体,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 2.8 W,
制造商零件编号:
BSC046N02KS G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8167
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