品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP450LCPBF, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
IRFP450LCPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0187
搜索
Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUD23N06-31L-E3, 23 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SUD23N06-31L-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
611-1342
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIBC20GPBF, 1.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
IRFIBC20GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4783
搜索
Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA04DP-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SIRA04DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9370
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR320TRPBF, 3.1 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
IRFR320TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0626
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI4168DY-T1-GE3, 24 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SI4168DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3192
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Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SIA923EDJ-T1-GE3, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SIA923EDJ-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1244
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET SIB452DK-T1-GE3, 670 mA, Vds=190 V, 6引脚 SC-75封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SIB452DK-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1253
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SIR850DP-T1-GE3, 20 A, Vds=25 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SIR850DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1294
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF720L-GE3, 3.3 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SIHF720L-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2639
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUM23N15-73-E3, 23 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SUM23N15-73-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-7477
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI2301CDS-T1-GE3, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SI2301CDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0250
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Vishay N沟道 Si MOSFET SIA436DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=8 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SIA436DJ-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4249
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRF720PBF, 3.3 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
IRF720PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0080
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFD320PBF, 490 mA, Vds=400 V, 4引脚 HVMDIP封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
IRFD320PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4774
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFU320PBF, 3.1 A, Vds=400 V, 3引脚 IPAK封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
IRFU320PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4840
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Vishay Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI8806DB-T2-E1, 3.9 A, Vds=12 V, 4引脚 微型支脚封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SI8806DB-T2-E1
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9272
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA06DP-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SIRA06DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9373
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFRC20TRPBF, 2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
IRFRC20TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0663
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI3483CDV-T1-GE3, 7 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SI3483CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3164
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUM18N25-165-E3, 10.4 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SUM18N25-165-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-7473
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Vishay Si N沟道 MOSFET SUM40N15-38-E3, 40 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SUM40N15-38-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-7486
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIB6N60APBF, 5.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
IRFIB6N60APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1950
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBC20PBF, 2.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
IRFBC20PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9490
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2301BDS-T1-E3, 2.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 30 ns,
制造商零件编号:
SI2301BDS-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4660
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