品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 12 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8707PBF, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 12 mΩ,
制造商零件编号:
IRF8707PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-871
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFZ48VSPBF, 72 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 12 mΩ,
制造商零件编号:
IRFZ48VSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2250
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4115PBF, 195 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 12 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS4115PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7092
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9328PBF, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 12 mΩ,
制造商零件编号:
IRF9328PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9240
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRL3705ZL, 86 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 12 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRL3705ZL
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4331
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR3705ZTRPBF, 89 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 12 mΩ,
制造商零件编号:
IRLR3705ZTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3376
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRL3103SPBF, 64 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 12 mΩ,
制造商零件编号:
IRL3103SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0383
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44VZSPBF, 57 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 12 mΩ,
制造商零件编号:
IRFZ44VZSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4413
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC080N03LS G, 53 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 12 mΩ,
制造商零件编号:
BSC080N03LS G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8160
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSC100N03MS G, 44 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 12 mΩ,
制造商零件编号:
BSC100N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5294
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRLR3705Z, 89 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 12 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRLR3705Z
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4353
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSO301SPH, 14.9 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 12 mΩ,
制造商零件编号:
BSO301SPH
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9109
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL3705ZSTRLPBF, 86 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 12 mΩ,
制造商零件编号:
IRL3705ZSTRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5073
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI1010NPBF, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 12 mΩ,
制造商零件编号:
IRFI1010NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9579
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP054NPBF, 81 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 12 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP054NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4892
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP054NPBF, 81 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 12 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP054NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1253
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3708PBF, 62 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 12 mΩ,
制造商零件编号:
IRF3708PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0872
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ48VPBF, 72 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 12 mΩ,
制造商零件编号:
IRFZ48VPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0945
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFS4115-7PPBF, 105 A, Vds=150 V, 7引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 12 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS4115-7PPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7099
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL3705ZLPBF, 86 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 12 mΩ,
制造商零件编号:
IRL3705ZLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-1006
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3708PBF, 62 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 12 mΩ,
制造商零件编号:
IRF3708PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3819
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ48VPBF, 72 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 12 mΩ,
制造商零件编号:
IRFZ48VPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3825
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