品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 104 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 104 W,
制造商零件编号:
IPB60R250CP
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8356
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 104 W,
制造商零件编号:
IPP60R250CP
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3049
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB50R299CP, 12 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 104 W,
制造商零件编号:
IPB50R299CP
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5158
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPI60R250CPAKSA1, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 104 W,
制造商零件编号:
IPI60R250CPAKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6700
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7110TRPBF, 58 A, Vds=100 V, 8引脚 PQFN封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 104 W,
制造商零件编号:
IRFH7110TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4177
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Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R280E6, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 104 W,
制造商零件编号:
IPP65R280E6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7595
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5215TR2PBF, 27 A, Vds=150 V, 8引脚 PQFN封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 104 W,
制造商零件编号:
IRFH5215TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4365
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPI65R280C6, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 104 W,
制造商零件编号:
IPI65R280C6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6716
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPI90R800C3, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 104 W,
制造商零件编号:
IPI90R800C3
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6823
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R280C6, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 104 W,
制造商零件编号:
IPP65R280C6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6934
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7107TRPBF, 75 A, Vds=75 V, 8引脚 PQFN封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 104 W,
制造商零件编号:
IRFH7107TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4173
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Infineon CoolMOS P6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP60R280P6, 13.8 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 104 W,
制造商零件编号:
IPP60R280P6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7573
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6729MTR1PBF, 190 A, Vds=30 V, 5引脚 DirectFET MX封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 104 W,
制造商零件编号:
IRF6729MTR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4214
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW50R299CP, 12 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 104 W,
制造商零件编号:
IPW50R299CP
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7101
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Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPW60R280E6, 13.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 104 W,
制造商零件编号:
IPW60R280E6
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2239
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Infineon IRG7PA19UPBF N沟道 IGBT, 50 A, Vce=360 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 104 W,
制造商零件编号:
IRG7PA19UPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4220
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPB60R280C6, 13.8 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 104 W,
制造商零件编号:
IPB60R280C6
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3009
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP08N80C3, 8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 104 W,
制造商零件编号:
SPP08N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5636
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPB65R280C6, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 104 W,
制造商零件编号:
IPB65R280C6
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5164
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPP90R800C3, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 104 W,
制造商零件编号:
IPP90R800C3
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7040
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R280C6, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 104 W,
制造商零件编号:
IPW65R280C6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7135
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL7486MTRPbF, 209 A, Vds=40 V, 7引脚 DirectFET封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 104 W,
制造商零件编号:
IRL7486MTRPbF
品牌:
Infineon
库存编号:
896-7330
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP60R280C6, 13.8 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 104 W,
制造商零件编号:
IPP60R280C6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7579
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Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R280E6, 13.8 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 104 W,
制造商零件编号:
IPW65R280E6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7642
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