品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon IGB10N60T N沟道 IGBT, 10 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
IGB10N60T
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9055
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Infineon IKW15T120 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
IKW15T120
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5399
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Infineon IKP10N60T N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
IKP10N60T
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8338
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Infineon IGW15T120 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
IGW15T120FKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
914-0211
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR2407PBF, 42 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
IRFR2407PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1162
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRFR6215, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
AUIRFR6215
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7411
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRFR5305, 31 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
AUIRFR5305
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4312
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR2905, 42 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
AUIRLR2905
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4356
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR1018ETRPBF, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
IRFR1018ETRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4022
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR6215TRPBF, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252AA封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
IRFR6215TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4076
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR2905TRPBF, 42 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
IRLR2905TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3357
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLU2905ZPBF, 60 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
IRLU2905ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3414
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ44NSTRLPBF, 47 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
IRLZ44NSTRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3417
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU13N20DPBF, 13 A, Vds=200 V, 3引脚 IPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
IRFU13N20DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5847
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR2407PBF, 42 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
IRFR2407PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3843
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR6215TRPBF, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252AA封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
IRFR6215TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4792
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF6215PBF, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
IRF6215PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4927
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFU5305PBF, 31 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
IRFU5305PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9951
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3518PBF, 38 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
IRFR3518PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2244
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5305PBF, 31 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
IRFR5305PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2496
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2905ZPBF, 60 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
IRLR2905ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4491
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR2307Z, 53 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
AUIRFR2307Z
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7461
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR2905Z, 59 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
AUIRFR2905Z
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7473
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR1018E, 79 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
AUIRFR1018E
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1831
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR2905Z, 60 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 110 W,
制造商零件编号:
AUIRLR2905Z
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4359
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