规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 2SK2508(F), 13 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220NIS封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
2SK2508(F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
185-625
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 Si N沟道 MOSFET STF25N80K5, 19.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STF25N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-2011
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRL630SPBF, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRL630SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4441
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Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB22P10TM, 22 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQB22P10TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0879
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCP11N60, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCP11N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4730
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP7NK80ZFP, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP7NK80ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
714-1085
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC7672, 20 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMC7672
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6291
查看其他仓库
ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTMS5835NLR2G, 12 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NTMS5835NLR2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
747-0920
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR48Z, 62 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRFR48Z
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4303
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STB7NK80ZT4, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STB7NK80ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9516
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STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STP95N4F3, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP95N4F3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9720
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB15NM60ND, 14 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STB15NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9819
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ROHM N沟道 Si MOSFET ZDX130N50, 13 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FM封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
ZDX130N50
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7841
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK14A65W5,S5X(M, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK14A65W5,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6123
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCB11N60TM, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCB11N60TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4923
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STB25N80K5, 19.5 A, Vds=800 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STB25N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-2010
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP30NF10, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP30NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7585
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCB11N60TM, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCB11N60TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0337
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCP11N60F, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCP11N60F
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4749
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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB30NF10T4, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STB30NF10T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5194
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ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTD6414AN-1G, 32 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NTD6414AN-1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2910
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STP25N80K5, 19.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP25N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7826
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STB25N80K5, 19.5 A, Vds=800 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STB25N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9276
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STF25N80K5, 19.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STF25N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9327
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQPF22P10, 9.3 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQPF22P10
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5891
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