规格:典型栅极电荷@Vgs 23.4 nC @ 10 V,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
产品分类
(4)
半导体
(4)
筛选品牌
Infineon (4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R520C6, 8.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23.4 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPA60R520C6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8609
搜索
Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD60R520C6, 8.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23.4 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD60R520C6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7545
搜索
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSL307SP, 5.5 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23.4 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSL307SP
品牌:
Infineon
库存编号:
753-2793
搜索
Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP60R520E6, 8.1 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 23.4 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP60R520E6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6928
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号