规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5210LPBF, 38 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF5210LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-3707
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4110PBF, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFP4110PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6995
搜索
IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK32N50Q, 32 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-264AA封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFK32N50Q
品牌:
IXYS
库存编号:
711-5386
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R045CP, 60 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPW60R045CP
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8397
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5210STRLPBF, 38 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF5210STRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
831-2825
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2805SPBF, 135 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF2805SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5740
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3808SPBF, 106 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF3808SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3303
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH120N15P, 120 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-247AD封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFH120N15P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-237
搜索
IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFN48N60P, 40 A, Vds=600 V, 4引脚 SOT-227B封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFN48N60P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-473
搜索
IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFN64N50P, 61 A, Vds=500 V, 4引脚 SOT-227B封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFN64N50P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-568
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP450PBF, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFP450PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0058
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IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK26N60Q, 26 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-264AA封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFK26N60Q
品牌:
IXYS
库存编号:
711-5389
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Infineon Si N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF2805S, 135 A, Vds=55 V, 4引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRF2805S
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1771
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3808S, 106 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRF3808S
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1790
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3808, 140 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRF3808
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1796
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Vishay P沟道 Si MOSFET 晶体管 SI7655DN-T1-GE3, 40 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SI7655DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9257
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB260NPBF, 56 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFB260NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3938
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI120N06S4-02, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPI120N06S4-02
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4666
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4110GPBF, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFB4110GPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5807
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7437TRLPBF, 250 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFS7437TRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4206
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3808STRLPBF, 106 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF3808STRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-4941
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IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR32N80P, 20 A, Vds=800 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFR32N80P
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0729
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IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN48N60P, 40 A, Vds=600 V, 4引脚 SOT-227B封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFN48N60P
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0767
搜索
IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR32N80P, 20 A, Vds=800 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFR32N80P
品牌:
IXYS
库存编号:
193-470
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4110PBF, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFB4110PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-578
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