规格:典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 4.5 V,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
产品分类
(20)
半导体
(20)
筛选品牌
Fairchild Semiconductor (1)
Infineon (11)
ON Semiconductor (3)
STMicroelectronics (2)
Taiwan Semiconductor (1)
Vishay (2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7422D2PBF, 4.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRF7422D2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2452
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLB8748PBF, 92 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRLB8748PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9329
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD4806NT4G, 76 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
NTD4806NT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0529
查看其他仓库
ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTF6P02T3G, 8.4 A, Vds=20 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
NTF6P02T3G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
808-4138
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7469PBF, 9 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRF7469PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3865
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8726TRPBF, 86 A, Vds=30 V, 3针+焊片 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRLR8726TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5115
查看其他仓库
Vishay N沟道 Si MOSFET SIA436DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=8 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
SIA436DJ-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4249
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDD306P, 6.7 A, Vds=12 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
FDD306P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9065
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRLR2703, 23 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
AUIRLR2703
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4347
查看其他仓库
ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NVF6P02T3G, 8.4 A, Vds=20 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
NVF6P02T3G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-1996
搜索
Taiwan Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET TSM6968DCA RVG, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 TSSOP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
TSM6968DCA RVG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
398-449
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL2703PBF, 24 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRL2703PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-2177
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET SIA436DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=8 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
SIA436DJ-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9276
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSC072N03LDG, 20 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
BSC072N03LDG
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9216
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET STS4DNF60L, 4 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
STS4DNF60L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-8358
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8726PBF, 86 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRLR8726PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7244
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLU8726PBF, 86 A, Vds=30 V, 3引脚 IPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRLU8726PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7294
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ100N06LS3 G, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
BSZ100N06LS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8255
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR2703PBF, 23 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRLR2703PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-1025
查看其他仓库
STMicroelectronics STripFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET STS4DNF60L, 4 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
STS4DNF60L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6557
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号