规格:典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 4.5 V,
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18533Q5A, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 SON封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
CSD18533Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4892
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLHS6242TRPBF, 10 A, Vds=20 V, 7引脚 PQFN封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRLHS6242TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7256
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ058N03MS G, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
BSZ058N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8243
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDME905PT, 8 A, Vds=12 V, 6引脚 MLP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
FDME905PT
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
803-1850
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16321Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
CSD16321Q5
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4684
搜索
Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2314CX RFG, 4.9 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
TSM2314CX RFG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
743-6061
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC602P, 5.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
FDC602P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9030
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLHS6242TR2PBF, 22 A, Vds=20 V, 6引脚 PQFN封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRLHS6242TR2PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
760-4426
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18533KCS, 118 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
CSD18533KCS
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4899
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