规格:典型接通延迟时间 63 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN2R0-30PL, 100 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型接通延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
PSMN2R0-30PL
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2928
搜索
IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN110N60P3, 90 A, Vds=600 V, 4引脚 SOT-227B封装
规格:典型接通延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
IXFN110N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7596
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFB110N60P3, 110 A, Vds=600 V, 3引脚 PLUS264封装
规格:典型接通延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
IXFB110N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4344
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH041N60F, 76 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型接通延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
FCH041N60F
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1268
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDL100N50F, 100 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-264封装
规格:典型接通延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
FDL100N50F
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9128
搜索
Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG73N60E-GE3, 73 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:典型接通延迟时间 63 ns,
制造商零件编号:
SiHG73N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9297
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