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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86252L, 12 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.8 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMS86252L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8461
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR120PBF, 7.7 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.8 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFR120PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4812
  
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• MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDD1903RH, 12.8 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.8 ns,
• 制造商零件编号：
  MDD1903RH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-4909
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQT4N25TF, 830 mA, Vds=250 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.8 ns,
• 制造商零件编号：
  FQT4N25TF
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5939
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI1050X-T1-GE3, 1.34 A, Vds=8 V, 6引脚 SC-89封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.8 ns,
• 制造商零件编号：
  SI1050X-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3035
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7303TRPBF, 4.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.8 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF7303TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8841
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7303PBF, 4.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.8 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF7303PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9862
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFD120PBF, 1.3 A, Vds=100 V, 4引脚 HVMDIP封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.8 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFD120PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1691
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN10A09KTC, 7.7 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.8 ns,
• 制造商零件编号：
  ZXMN10A09KTC
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  824-5472
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSR302NL6327, 3.7 A, Vds=30 V, 3引脚 SC-59封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.8 ns,
• 制造商零件编号：
  BSR302NL6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9392
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN10H220L-7, 1.6 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-23封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.8 ns,
• 制造商零件编号：
  DMN10H220L-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1048
  
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