以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR466DP-T1-GE3, 28 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  SIR466DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3406
  
• 
  搜索

• Vishay P沟道 Si MOSFET SI8439DB-T1-E1, 9.2 A, Vds=8 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  SI8439DB-T1-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9260
  
• 
  搜索

• Vishay P沟道 Si MOSFET SIA447DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=12 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  SIA447DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9288
  
• 
  搜索

• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2343CDS-T1-GE3, 4.7 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2343CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3120
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4124DY-T1-GE3, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4124DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3195
  
• 
  搜索

• Vishay Si P沟道 MOSFET SI9407BDY-T1-GE3, 3.8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  SI9407BDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1444
  
• 
  搜索

• Vishay Si P沟道 MOSFET SI9424BDY-T1-E3, 5.6 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  SI9424BDY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3383
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4654DY-T1-GE3, 28 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4654DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3246
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET SUD50N04-8M8P-4GE3, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 30 ns,
• 制造商零件编号：
  SUD50N04-8M8P-4GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-7470
  
• 
  搜索