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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP450APBF, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFP450APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-0030
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 2N7002K-T1-E3, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  2N7002K-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-2706
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR466DP-T1-GE3, 28 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  SIR466DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3406
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHB12N60E-GE3, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHB12N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9300
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIHL540STRL-GE3, 28 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHL540STRL-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0691
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIBC30GPBF, 2.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFIBC30GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1382
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET TP0610K-T1-GE3, 185 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-236封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  TP0610K-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9018
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR870ADP-T1-GE3, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  SIR870ADP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9355
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI1025X-T1-GE3, 135 mA, Vds=60 V, 6引脚 SC-89封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  SI1025X-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3029
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI3447CDV-T1-GE3, 6.2 A, Vds=12 V, 6引脚 TSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  SI3447CDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3154
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHFBC30S-GE3, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHFBC30S-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2691
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SUP50N03-5M1P-GE3, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  SUP50N03-5M1P-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-7499
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR870ADP-T1-GE3, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  SIR870ADP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4242
  
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• Vishay N沟道 MOSFET SI2312BDS-T1-GE3, 3.9 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2312BDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3254
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHB15N60E-GE3, 15 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHB15N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9304
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET 2N7002K-T1-GE3, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  2N7002K-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9058
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHFBC30STRL-GE3, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHFBC30STRL-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2695
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4830CDY-T1-GE3, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4830CDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1292
  
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• Vishay 双 N沟道 Si MOSFET SI7232DN-T1-GE3, 24 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  SI7232DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1396
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI8461DB-T2-E1, 3 A, Vds=20 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  SI8461DB-T2-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1425
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET TN2404K-T1-GE3, 300 mA, Vds=240 V, 3引脚 TO-236封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  TN2404K-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-7647
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBC30PBF, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFBC30PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9507
  
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• Vishay E Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHP12N60E-GE3, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHP12N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9428
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI5442DU-T1-GE3, 12.4 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  SI5442DU-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1321
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SUD42N03-3M9P-GE3, 107 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型关断延迟时间 35 ns,
• 制造商零件编号：
  SUD42N03-3M9P-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-7464
  
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