规格:典型关断延迟时间 49 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2807PBF, 82 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 49 ns,
制造商零件编号:
IRF2807PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2569
搜索
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP6N62K3, 5.5 A, Vds=620 V, 4引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 49 ns,
制造商零件编号:
STP6N62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0168
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFT94N30P3, 94 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-268封装
规格:典型关断延迟时间 49 ns,
制造商零件编号:
IXFT94N30P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4483
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3315SPBF, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 49 ns,
制造商零件编号:
IRF3315SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-158
搜索
Vishay N沟道 MOSFET IRF840PBF, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 49 ns,
制造商零件编号:
IRF840PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0036
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP440PBF, 8.8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:典型关断延迟时间 49 ns,
制造商零件编号:
IRFP440PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9989
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL2910SPBF, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 49 ns,
制造商零件编号:
IRL2910SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0377
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD15NF10T4, 23 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型关断延迟时间 49 ns,
制造商零件编号:
STD15NF10T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
714-1060
搜索
Nexperia Si N沟道 MOSFET BSS87,115, 400 mA, Vds=200 V, 3引脚 SOT-89封装
规格:典型关断延迟时间 49 ns,
制造商零件编号:
BSS87,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8316
搜索
Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCH22N60N, 22 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型关断延迟时间 49 ns,
制造商零件编号:
FCH22N60N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6121
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFB3806, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 49 ns,
制造商零件编号:
AUIRFB3806
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1807
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD6N62K3, 5.5 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型关断延迟时间 49 ns,
制造商零件编号:
STD6N62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9922
查看其他仓库
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD09P06PLG, 9.7 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型关断延迟时间 49 ns,
制造商零件编号:
SPD09P06PLG
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9074
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL3806PBF, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
规格:典型关断延迟时间 49 ns,
制造商零件编号:
IRFSL3806PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4117
查看其他仓库
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPP120P04P4-04, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 49 ns,
制造商零件编号:
IPP120P04P4-04
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6889
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLI2910PBF, 31 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型关断延迟时间 49 ns,
制造商零件编号:
IRLI2910PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-1000
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL2910PBF, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 49 ns,
制造商零件编号:
IRL2910PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3856
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2807SPBF, 82 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 49 ns,
制造商零件编号:
IRF2807SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9197
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3806PBF, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 49 ns,
制造商零件编号:
IRFB3806PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6926
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU3806PBF, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
规格:典型关断延迟时间 49 ns,
制造商零件编号:
IRFU3806PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7143
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRF840SPBF, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 49 ns,
制造商零件编号:
IRF840SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4752
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Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCA22N60N, 22 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:典型关断延迟时间 49 ns,
制造商零件编号:
FCA22N60N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9431
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH94N30P3, 94 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型关断延迟时间 49 ns,
制造商零件编号:
IXFH94N30P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4391
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFQ94N30P3, 94 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-3P封装
规格:典型关断延迟时间 49 ns,
制造商零件编号:
IXFQ94N30P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4470
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF840STRL-GE3, 8.1 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 49 ns,
制造商零件编号:
SIHF840STRL-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2657
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