规格:典型关断延迟时间 44 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP140NPBF, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:典型关断延迟时间 44 ns,
制造商零件编号:
IRFP140NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1269
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI540NPBF, 20 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 44 ns,
制造商零件编号:
IRFI540NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-2470
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW11N60C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型关断延迟时间 44 ns,
制造商零件编号:
SPW11N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3213
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMC6675BZ, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
规格:典型关断延迟时间 44 ns,
制造商零件编号:
FDMC6675BZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9529
查看其他仓库
Vishay Si P沟道 MOSFET SIA449DJ-T1-GE3, 10.4 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
规格:典型关断延迟时间 44 ns,
制造商零件编号:
SIA449DJ-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1213
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7478TRPBF, 7 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 44 ns,
制造商零件编号:
IRF7478TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3874
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STW15N80K5, 14 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型关断延迟时间 44 ns,
制造商零件编号:
STW15N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-1490
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N65C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 44 ns,
制造商零件编号:
SPP11N65C3
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8807
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7478PBF, 7 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 44 ns,
制造商零件编号:
IRF7478PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3871
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44NSPBF, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 44 ns,
制造商零件编号:
IRFZ44NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3890
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44NPBF, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 44 ns,
制造商零件编号:
IRFZ44NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4769
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA11N65C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型关断延迟时间 44 ns,
制造商零件编号:
SPA11N65C3
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7780
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6682, 14 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 44 ns,
制造商零件编号:
FDS6682
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0611
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR2307ZPBF, 53 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型关断延迟时间 44 ns,
制造商零件编号:
IRFR2307ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7033
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR2307Z, 53 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型关断延迟时间 44 ns,
制造商零件编号:
AUIRFR2307Z
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7461
查看其他仓库
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA11N60C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型关断延迟时间 44 ns,
制造商零件编号:
SPA11N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8467
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP380N60, 10.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 44 ns,
制造商零件编号:
FCP380N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9105
查看其他仓库
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN4R3-30BL, 100 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 44 ns,
制造商零件编号:
PSMN4R3-30BL
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2968
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN5R5-60YS, 100 A, Vds=60 V, 4引脚 SOT-669封装
规格:典型关断延迟时间 44 ns,
制造商零件编号:
PSMN5R5-60YS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2996
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFP16N50P3, 16 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 44 ns,
制造商零件编号:
IXFP16N50P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4423
查看其他仓库
Vishay N沟道 Si MOSFET SIHL640STRL-GE3, 17 A, Vds=200 V, 3引脚 SMD-220封装
规格:典型关断延迟时间 44 ns,
制造商零件编号:
SIHL640STRL-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
813-0705
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7545PBF, 95 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 44 ns,
制造商零件编号:
IRFB7545PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
820-8858
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STF15N80K5, 14 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型关断延迟时间 44 ns,
制造商零件编号:
STF15N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-7085
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPI11N65C3XKSA1, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装
规格:典型关断延迟时间 44 ns,
制造商零件编号:
SPI11N65C3XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8769
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N60C3, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 44 ns,
制造商零件编号:
SPP11N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
462-3348
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