规格:典型关断延迟时间 22 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTF3055L108T1G, 3 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型关断延迟时间 22 ns,
制造商零件编号:
NTF3055L108T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
463-307
搜索
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTF3055L108T1G, 3 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型关断延迟时间 22 ns,
制造商零件编号:
NTF3055L108T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
100-8062
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7458PBF, 14 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 22 ns,
制造商零件编号:
IRF7458PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1106
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS5672, 10.6 A, Vds=60 V, 8引脚 MLP封装
规格:典型关断延迟时间 22 ns,
制造商零件编号:
FDMS5672
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0390
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQU13N10LTU, 10 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
规格:典型关断延迟时间 22 ns,
制造商零件编号:
FQU13N10LTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5348
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRL530PBF, 15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 22 ns,
制造商零件编号:
IRL530PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4866
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5301TR2PBF, 35 A, Vds=30 V, 8引脚 QFN封装
规格:典型关断延迟时间 22 ns,
制造商零件编号:
IRFH5301TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9280
查看其他仓库
ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTMS5835NLR2G, 12 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 22 ns,
制造商零件编号:
NTMS5835NLR2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
747-0920
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ160N10NS3 G, 40 A, Vds=100 V, 8引脚 TSDSON封装
规格:典型关断延迟时间 22 ns,
制造商零件编号:
BSZ160N10NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5373
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD600N25N3 G, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型关断延迟时间 22 ns,
制造商零件编号:
IPD600N25N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5478
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 四 N沟道 Si MOSFET FDMQ86530L, 8 A, Vds=60 V, 12引脚 MLP封装
规格:典型关断延迟时间 22 ns,
制造商零件编号:
FDMQ86530L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1159
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF9N60M2, 5.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型关断延迟时间 22 ns,
制造商零件编号:
STF9N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3671
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQJ850EP-T1_GE3, 24 A, Vds=60 V, 5引脚 PowerPAK SO-8L封装
规格:典型关断延迟时间 22 ns,
制造商零件编号:
SQJ850EP-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9500
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN039-100YS, 28 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-669封装
规格:典型关断延迟时间 22 ns,
制造商零件编号:
PSMN039-100YS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2886
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD4906N-35G, 54 A, Vds=30 V, 3引脚 IPAK封装
规格:典型关断延迟时间 22 ns,
制造商零件编号:
NTD4906N-35G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-4051
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86250, 30 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装
规格:典型关断延迟时间 22 ns,
制造商零件编号:
FDMS86250
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3526
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Vishay P沟道 Si MOSFET SI5855CDC-T1-E3, 3 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
规格:典型关断延迟时间 22 ns,
制造商零件编号:
SI5855CDC-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1346
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC160N10NS3G, 42 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
规格:典型关断延迟时间 22 ns,
制造商零件编号:
BSC160N10NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9250
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD50P04P4-13, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型关断延迟时间 22 ns,
制造商零件编号:
IPD50P04P4-13
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9109
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB600N25N3G, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型关断延迟时间 22 ns,
制造商零件编号:
IPB600N25N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9204
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6302GTRPBF, 780 mA, Vds=20 V, 3引脚 Micro6封装
规格:典型关断延迟时间 22 ns,
制造商零件编号:
IRLML6302GTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3310
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Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPB80N04S4L-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型关断延迟时间 22 ns,
制造商零件编号:
IPB80N04S4L-04
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4502
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Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQU17P06TU, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
规格:典型关断延迟时间 22 ns,
制造商零件编号:
FQU17P06TU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4740
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7682, 59 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
规格:典型关断延迟时间 22 ns,
制造商零件编号:
FDMS7682
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4784
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDD4243_F085, 14 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型关断延迟时间 22 ns,
制造商零件编号:
FDD4243_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8082
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