规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7301PBF, 5.2 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7301PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0698
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN6040SK3-13, 20 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
制造商零件编号:
DMN6040SK3-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
790-4609
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVD5867NLT4G, 22 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
制造商零件编号:
NVD5867NLT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1099
搜索
IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK98N50P3, 98 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-264封装
规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
制造商零件编号:
IXFK98N50P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4414
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6401TRPBF, 4.3 A, Vds=12 V, 3引脚 微型封装
规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
制造商零件编号:
IRLML6401TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4713
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7341PBF, 4.7 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7341PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1758
搜索
DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET ZXMN6A25DN8TA, 5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMN6A25DN8TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7562
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS9435A, 5.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
制造商零件编号:
FDS9435A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0750
搜索
DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET ZXMN3A06DN8TA, 6.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMN3A06DN8TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2444
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIZ34GPBF, 20 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
制造商零件编号:
IRFIZ34GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4796
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5867NLT4G, 20 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
制造商零件编号:
NTD5867NLT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2901
搜索
DiodesZetex N沟道 MOSFET 晶体管 DMN2013UFDE-7, 10.5 A, Vds=20 V, 6引脚 U-DFN2020封装
规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
制造商零件编号:
DMN2013UFDE-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5260
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP4047LFDE-7, 6 A, Vds=40 V, 6引脚 U-DFN2020封装
规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
制造商零件编号:
DMP4047LFDE-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5291
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3070SSN-7, 5.1 A, Vds=30 V, 3引脚 SC-59封装
规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
制造商零件编号:
DMN3070SSN-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
790-4606
搜索
DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN4031SSD-13, 7 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
制造商零件编号:
DMN4031SSD-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-3236
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6401TRPBF, 4.3 A, Vds=12 V, 3引脚 微型封装
规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
制造商零件编号:
IRLML6401TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-316
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN3A03E6TA, 4.6 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMN3A03E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7524
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC658P, 4 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
制造商零件编号:
FDC658P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0359
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA410NZ, 9.5 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
制造商零件编号:
FDMA410NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6241
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIB408DK-T1-GE3, 6 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-75封装
规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
制造商零件编号:
SIB408DK-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1241
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7201TRPBF, 7.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7201TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8838
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD22N08S2L-50, 27 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
制造商零件编号:
IPD22N08S2L-50
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4578
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF7601PBF, 5.7 A, Vds=20 V, 8引脚 微型封装
规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7601PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5053
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7341PBF, 4.7 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7341PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4921
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STN4NF03L, 6.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大漏源电阻值 50 mΩ,
制造商零件编号:
STN4NF03L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6676
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