规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTD6415ANT4G, 23 A, Vds=100 V, 3引脚 D-PAK封装
规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
制造商零件编号:
NTD6415ANT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2926
查看其他仓库
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTLJS4114NT1G, 7.8 A, Vds=30 V, 6引脚 WDFN封装
规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
制造商零件编号:
NTLJS4114NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0664
搜索
Nexperia Si P沟道 MOSFET PMV48XP, 3.5 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
制造商零件编号:
PMV48XP
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2801
搜索
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTGS3446T1G, 5.1 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
制造商零件编号:
NTGS3446T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-4221
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP260PBF, 46 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP260PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0468
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP20N06L, 21 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
制造商零件编号:
FQP20N06L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5054
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF20N06L, 15.7 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
制造商零件编号:
FQPF20N06L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5240
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD6415AN-1G, 23 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
制造商零件编号:
NTD6415AN-1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2917
搜索
Vishay P沟道 Si MOSFET SIA461DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=20 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
制造商零件编号:
SIA461DJ-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9291
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK49N65W,S1F(S, 49 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
制造商零件编号:
TK49N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5154
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS3580, 7.6 A, Vds=80 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
制造商零件编号:
FDS3580
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3636
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF33N10L, 18 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
制造商零件编号:
FQPF33N10L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5908
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK49N65W,S1F(S, 49 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
制造商零件编号:
TK49N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6236
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW56N60M2-4, 52 A, Vds=650 V, 4引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
制造商零件编号:
STW56N60M2-4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5724
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN302P, 2.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
制造商零件编号:
FDN302P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0400
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDZ192NZ, 5.3 A, Vds=20 V, 6引脚 WLCSP封装
规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
制造商零件编号:
FDZ192NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4905
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP150PBF, 41 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP150PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2746
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DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN6040SSD-13, 6.6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
制造商零件编号:
DMN6040SSD-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-4018
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLTS2242TRPBF, 6.9 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
制造商零件编号:
IRLTS2242TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3401
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STMicroelectronics STripFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET STS4DNF60L, 4 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
制造商零件编号:
STS4DNF60L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-8358
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDL100N50F, 100 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-264封装
规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
制造商零件编号:
FDL100N50F
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9128
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW56N60M2, 52 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
制造商零件编号:
STW56N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5720
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK49N65W,S1F(S, 49 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
制造商零件编号:
TK49N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2397
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP150PBF, 41 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP150PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4315
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STMicroelectronics STripFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET STS4DNF60L, 4 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 55 mΩ,
制造商零件编号:
STS4DNF60L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6557
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