品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD16N25CTM, 16 A, Vds=250 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
FQD16N25CTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0964
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP17N40, 16 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
FQP17N40
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5036
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDC6306P, 1.9 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
FDC6306P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-9834
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF16N25C, 15.6 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大漏源电阻值 270 mΩ,
制造商零件编号:
FQPF16N25C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5231
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