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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC028N06LS3 G, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSC028N06LS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5241
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPI100N10S3-05, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPI100N10S3-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4641
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N06S2L-05, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPI80N06S2L-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6772
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 模块 IPP80N06S2L-05, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP80N06S2L-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6984
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA030N10N3 G, 79 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPA030N10N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7431
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7832TRPBF, 20 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7832TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3896
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP048N04N G, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP048N04N G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2346
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP048N12N3 G, 100 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP048N12N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7440
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR7540TRPBF, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 4.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR7540TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4199
  
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