品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS4010, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
制造商零件编号:
AUIRFS4010
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9180
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD040N03LGBTMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
制造商零件编号:
IPD040N03LGBTMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4562
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2805SPBF, 135 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
制造商零件编号:
IRF2805SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5740
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2805PBF, 75 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
制造商零件编号:
IRF2805PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8687
搜索
Infineon Si N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF2805S, 135 A, Vds=55 V, 4引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
制造商零件编号:
AUIRF2805S
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1771
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2805PBF, 75 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
制造商零件编号:
IRF2805PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-0274
搜索
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD90P04P4-05, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
制造商零件编号:
IPD90P04P4-05
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5221
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL4010PBF, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
制造商零件编号:
IRFSL4010PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4111
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2805STRLPBF, 135 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
制造商零件编号:
IRF2805STRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
831-2792
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2805, 175 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
制造商零件编号:
AUIRF2805
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1762
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC030N03LSG, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
制造商零件编号:
BSC030N03LSG
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9112
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP052N06L3G, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
制造商零件编号:
IPP052N06L3G
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6842
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