规格:最大漏源电阻值 2.2 Ω,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB812PBF, 3.6 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 2.2 Ω,
制造商零件编号:
IRFB812PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1939
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET SI4190ADY-T1-GE3, 18 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 2.2 Ω,
制造商零件编号:
SI4190ADY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9235
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP3N30, 3.2 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 2.2 Ω,
制造商零件编号:
FQP3N30
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5872
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET SIHFBC30AS-GE3, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 2.2 Ω,
制造商零件编号:
SIHFBC30AS-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2698
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIBC30GPBF, 2.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 2.2 Ω,
制造商零件编号:
IRFIBC30GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1382
搜索
ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTK3139PT1G, 870 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-723封装
规格:最大漏源电阻值 2.2 Ω,
制造商零件编号:
NTK3139PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0642
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SIHFBC30S-GE3, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 2.2 Ω,
制造商零件编号:
SIHFBC30S-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2691
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN32D2LFB4-7, 300 mA, Vds=30 V, 3引脚 DFN封装
规格:最大漏源电阻值 2.2 Ω,
制造商零件编号:
DMN32D2LFB4-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2570
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDN86265P, 800mA, Vds=150 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电阻值 2.2 Ω,
制造商零件编号:
FDN86265P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8512
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SI4190ADY-T1-GE3, 18 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 2.2 Ω,
制造商零件编号:
SI4190ADY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4233
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF5801TRPBF, 600 mA, Vds=200 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大漏源电阻值 2.2 Ω,
制造商零件编号:
IRF5801TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-631
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRFBC30APBF, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 2.2 Ω,
制造商零件编号:
IRFBC30APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4768
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR812PBF, 3.6 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 2.2 Ω,
制造商零件编号:
IRFR812PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-8957
搜索
IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFP4N60P3, 4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 2.2 Ω,
制造商零件编号:
IXFP4N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4439
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIHFBC30STRL-GE3, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 2.2 Ω,
制造商零件编号:
SIHFBC30STRL-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2695
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Fairchild Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 FDMC86265P, 1 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 33封装
规格:最大漏源电阻值 2.2 Ω,
制造商零件编号:
FDMC86265P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8234
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF5801TRPBF, 600 mA, Vds=200 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大漏源电阻值 2.2 Ω,
制造商零件编号:
IRF5801TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4725
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBC30PBF, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 2.2 Ω,
制造商零件编号:
IRFBC30PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9507
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