品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6.5 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3205Z, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6.5 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRF3205Z
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7436
搜索
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S2L-H5, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6.5 mΩ,
制造商零件编号:
IPP80N06S2L-H5
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9468
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP70N04S4-06, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6.5 mΩ,
制造商零件编号:
IPP70N04S4-06
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6952
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI70N04S4-06, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6.5 mΩ,
制造商零件编号:
IPI70N04S4-06
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6738
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3114ZTRPBF, 130 A, Vds=40 V, 3针+焊片 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6.5 mΩ,
制造商零件编号:
IRLR3114ZTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5109
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC042N03LS G, 93 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6.5 mΩ,
制造商零件编号:
BSC042N03LS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5250
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Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB70N04S3-07, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6.5 mΩ,
制造商零件编号:
IPB70N04S3-07
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9424
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3205Z, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6.5 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRF3205Z
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8586
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