规格:最大漏源电压 250 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 2SK2508(F), 13 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220NIS封装
规格:最大漏源电压 250 V,
制造商零件编号:
2SK2508(F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
185-625
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS4229PBF, 45 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电压 250 V,
制造商零件编号:
IRFS4229PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-883
搜索
NXP Si P沟道 MOSFET BSP225,115, 225 mA, Vds=250 V, 4引脚 SC-73封装
规格:最大漏源电压 250 V,
制造商零件编号:
BSP225,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
177-7183
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDP33N25, 33 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电压 250 V,
制造商零件编号:
FDP33N25
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4819
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDP51N25, 51 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电压 250 V,
制造商零件编号:
FDP51N25
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4843
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA62N25C, 62 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:最大漏源电压 250 V,
制造商零件编号:
FQA62N25C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4957
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4768PBF, 93 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大漏源电压 250 V,
制造商零件编号:
IRFP4768PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7020
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFI9634GPBF, 4.1 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电压 250 V,
制造商零件编号:
IRFI9634GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4780
搜索
Infineon DirectFET, HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7799L2TR1PBF, 375 A, Vds=250 V, 11引脚 DirectFET L8封装
规格:最大漏源电压 250 V,
制造商零件编号:
IRF7799L2TR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
716-5397
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DiodesZetex N沟道 Si MOSFET ZVN4525GTA, 310 mA, Vds=250 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大漏源电压 250 V,
制造商零件编号:
ZVN4525GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-5269
搜索
DiodesZetex P沟道 Si MOSFET ZVP4525E6TA, 200 mA, Vds=250 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电压 250 V,
制造商零件编号:
ZVP4525E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-5275
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD600N25N3 G, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大漏源电压 250 V,
制造商零件编号:
IPD600N25N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5478
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDB2710, 50 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电压 250 V,
制造商零件编号:
FDB2710
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8961
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Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS2734, 3 A, Vds=250 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电压 250 V,
制造商零件编号:
FDS2734
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9197
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB50N25M5, 28 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大漏源电压 250 V,
制造商零件编号:
STB50N25M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0682
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Nexperia N沟道 Si MOSFET BSP126, 375 mA, Vds=250 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大漏源电压 250 V,
制造商零件编号:
BSP126
品牌:
Nexperia
库存编号:
792-0875
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQA9P25, 6.6 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:最大漏源电压 250 V,
制造商零件编号:
FQA9P25
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
808-8991
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDA69N25, 69 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:最大漏源电压 250 V,
制造商零件编号:
FDA69N25
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0792
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD7N25LZTM, 6.2 A, Vds=250 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电压 250 V,
制造商零件编号:
FDD7N25LZTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0931
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4525ZTA, 240 mA, Vds=250 V, 3引脚 SOT-89封装
规格:最大漏源电压 250 V,
制造商零件编号:
ZVN4525ZTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-1839
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ROHM N沟道 Si MOSFET RCX330N25, 33 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FM封装
规格:最大漏源电压 250 V,
制造商零件编号:
RCX330N25
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7721
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Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB17N25S3-100, 17 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大漏源电压 250 V,
制造商零件编号:
IPB17N25S3-100
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9002
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB600N25N3G, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大漏源电压 250 V,
制造商零件编号:
IPB600N25N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9204
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFI4229PBF, 19 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电压 250 V,
制造商零件编号:
IRFI4229PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3975
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Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS2734, 14 A, Vds=250 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大漏源电压 250 V,
制造商零件编号:
FDMS2734
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4942
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