品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 120 V,
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP114N12N3 G, 75 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
IPP114N12N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2179
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI147N12N3 G, 56 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
IPI147N12N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2289
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP041N12N3 G, 120 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
IPP041N12N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7311
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC077N12NS3 G, 98 A, Vds=120 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
BSC077N12NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5285
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB038N12N3 G, 120 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
IPB038N12N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5437
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD110N12N3 G, 75 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
IPD110N12N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5462
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB036N12N3 G, 180 A, Vds=120 V, 7引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
IPB036N12N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5428
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP048N12N3 G, 100 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
IPP048N12N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7440
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB144N12N3 G, 56 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电压 120 V,
制造商零件编号:
IPB144N12N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7201
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