规格:最大连续漏极电流 56 A,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86570L, 56 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 33封装
规格:最大连续漏极电流 56 A,
制造商零件编号:
FDMC86570L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8231
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI147N12N3 G, 56 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-262封装
规格:最大连续漏极电流 56 A,
制造商零件编号:
IPI147N12N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2289
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3707ZPBF, 56 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 56 A,
制造商零件编号:
IRFR3707ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-4993
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75639P3, 56 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大连续漏极电流 56 A,
制造商零件编号:
HUF75639P3
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
329-1013
搜索
Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75639G3, 56 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大连续漏极电流 56 A,
制造商零件编号:
HUF75639G3
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-6692
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB260NPBF, 56 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大连续漏极电流 56 A,
制造商零件编号:
IRFB260NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3938
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3710ZTRPBF, 56 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
规格:最大连续漏极电流 56 A,
制造商零件编号:
IRFR3710ZTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4050
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUFA75639S3ST, 56 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263AB封装
规格:最大连续漏极电流 56 A,
制造商零件编号:
HUFA75639S3ST
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
862-9321
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK56A12N1,S4X(S, 56 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:最大连续漏极电流 56 A,
制造商零件编号:
TK56A12N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2391
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3710ZPBF, 56 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 56 A,
制造商零件编号:
IRFR3710ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3944
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU3710ZPBF, 56 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
规格:最大连续漏极电流 56 A,
制造商零件编号:
IRFU3710ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7131
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFR3710Z, 56 A, Vds=100 V, 3引脚 D-PAK封装
规格:最大连续漏极电流 56 A,
制造商零件编号:
AUIRFR3710Z
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7645
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR2405, 56 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
规格:最大连续漏极电流 56 A,
制造商零件编号:
AUIRFR2405
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1835
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4510PBF, 56 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 56 A,
制造商零件编号:
IRFR4510PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-8950
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU4510PBF, 56 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
规格:最大连续漏极电流 56 A,
制造商零件编号:
IRFU4510PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-8979
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB260NPBF, 56 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大连续漏极电流 56 A,
制造商零件编号:
IRFB260NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5780
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR2405PBF, 56 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 56 A,
制造商零件编号:
IRFR2405PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2222
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3710ZPBF, 56 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 56 A,
制造商零件编号:
IRFR3710ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4340
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM60N06-15_GE3, 56 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大连续漏极电流 56 A,
制造商零件编号:
SQM60N06-15_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9513
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3707ZTRPBF, 56 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252AA封装
规格:最大连续漏极电流 56 A,
制造商零件编号:
IRFR3707ZTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4057
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK56A12N1,S4X(S, 56 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:最大连续漏极电流 56 A,
制造商零件编号:
TK56A12N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6230
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB144N12N3 G, 56 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大连续漏极电流 56 A,
制造商零件编号:
IPB144N12N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7201
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR2405, 56 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
规格:最大连续漏极电流 56 A,
制造商零件编号:
AUIRFR2405
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8633
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