品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 4.1 A,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPE30PBF, 4.1 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 4.1 A,
制造商零件编号:
IRFPE30PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9872
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFI9634GPBF, 4.1 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 4.1 A,
制造商零件编号:
IRFI9634GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4780
搜索
Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI5997DU-T1-GE3, 4.1 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 4.1 A,
制造商零件编号:
SI5997DU-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1365
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBE30PBF, 4.1 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 4.1 A,
制造商零件编号:
IRFBE30PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1124
搜索
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2333DS-T1-E3, 4.1 A, Vds=12 V, 3引脚 TO-236封装
品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 4.1 A,
制造商零件编号:
SI2333DS-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4691
搜索
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI3457CDV-T1-GE3, 4.1 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
品牌:Vishay,规格:最大连续漏极电流 4.1 A,
制造商零件编号:
SI3457CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3298
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