品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD220N06L3 G, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IPD220N06L3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7435
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLIZ44NPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IRLIZ44NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0541
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ34NSPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IRLZ34NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0614
搜索
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N03S2L-20, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IPD30N03S2L-20
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4580
搜索
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N06S2-23, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IPD30N06S2-23
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4584
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Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPD30N06S4L-23, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IPD30N06S4L-23
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4593
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLIZ44NPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IRLIZ44NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3796
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP250NPBF, 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IRFP250NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4810
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU4105ZPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IRFU4105ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7156
搜索
Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N10S3L-34, 30 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IPD30N10S3L-34
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3018
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPP114N03L G, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IPP114N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5496
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IPS135N03L G, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IPS135N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5507
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N06S2L23ATMA3, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IPD30N06S2L23ATMA3
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9115
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP250MPBF, 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IRFP250MPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4004
搜索
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N08S2-22, 30 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IPD30N08S2-22
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5139
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD135N03LGATMA1, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IPD135N03LGATMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4574
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R125C6, 30 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IPW60R125C6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7204
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4105ZPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IRFR4105ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4407
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD135N03L G, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IPD135N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5471
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N06S2L-13, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IPD30N06S2L-13
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5765
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N06S2-15, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IPD30N06S2-15
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9197
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4105ZTRPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IRFR4105ZTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4066
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N08S2L-21, 30 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IPD30N08S2L-21
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5120
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R125C6, 30 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IPA60R125C6
品牌:
Infineon
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897-7292
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R125C6, 30 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 30 A,
制造商零件编号:
IPB60R125C6
品牌:
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库存编号:
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