规格:最大连续漏极电流 27 A,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4105PBF, 27 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 27 A,
制造商零件编号:
IRFR4105PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9828
搜索
Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQB27P06TM, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 27 A,
制造商零件编号:
FQB27P06TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0873
搜索
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTB25P06T4G, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 27 A,
制造商零件编号:
NTB25P06T4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0510
搜索
Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS2572, 27 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大连续漏极电流 27 A,
制造商零件编号:
FDMS2572
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4986
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Q-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK27N80Q, 27 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-264AA封装
规格:最大连续漏极电流 27 A,
制造商零件编号:
IXFK27N80Q
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0874
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQP27P06, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大连续漏极电流 27 A,
制造商零件编号:
FQP27P06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5064
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5215TR2PBF, 27 A, Vds=150 V, 8引脚 PQFN封装
规格:最大连续漏极电流 27 A,
制造商零件编号:
IRFH5215TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4365
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB35N65M5, 27 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大连续漏极电流 27 A,
制造商零件编号:
STB35N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0679
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD33CN10NG, 27 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大连续漏极电流 27 A,
制造商零件编号:
IPD33CN10NG
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5066
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Infineon DirectFET, HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF6724MTR1PBF, 27 A, Vds=30 V, 7引脚 DirectFET MX封装
规格:最大连续漏极电流 27 A,
制造商零件编号:
IRF6724MTR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6774
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUM27N20-78-E3, 27 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大连续漏极电流 27 A,
制造商零件编号:
SUM27N20-78-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-5023
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6201PBF, 27 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 27 A,
制造商零件编号:
IRF6201PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9228
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW35N65M5, 27 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大连续漏极电流 27 A,
制造商零件编号:
STW35N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0326
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP35N65M5, 27 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 27 A,
制造商零件编号:
STP35N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2900
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF6201TRPBF, 27 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 27 A,
制造商零件编号:
IRF6201TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
831-2843
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF6218STRLPBF, 27 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 27 A,
制造商零件编号:
IRF6218STRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
831-2856
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD22N08S2L-50, 27 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大连续漏极电流 27 A,
制造商零件编号:
IPD22N08S2L-50
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4578
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB390N15A, 27 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大连续漏极电流 27 A,
制造商零件编号:
FDB390N15A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7985
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IXYS HiperFET, Q-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK27N80Q, 27 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-264AA封装
规格:最大连续漏极电流 27 A,
制造商零件编号:
IXFK27N80Q
品牌:
IXYS
库存编号:
711-5382
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK28N65W,S1F(S, 27 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大连续漏极电流 27 A,
制造商零件编号:
TK28N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5084
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIR416DP-T1-GE3, 27 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
规格:最大连续漏极电流 27 A,
制造商零件编号:
SIR416DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1272
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Vishay Si P沟道 MOSFET SISS23DN-T1-GE3, 27 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
规格:最大连续漏极电流 27 A,
制造商零件编号:
SISS23DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1314
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDPC4044, 27 A, Vds=30 V, 8引脚 电源夹 33封装
规格:最大连续漏极电流 27 A,
制造商零件编号:
FDPC4044
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8565
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF190N15A, 27 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大连续漏极电流 27 A,
制造商零件编号:
FDPF190N15A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8596
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK28N65W,S1F(S, 27 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大连续漏极电流 27 A,
制造商零件编号:
TK28N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2942
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