品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 8.1 A,
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R520C6, 8.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 8.1 A,
制造商零件编号:
IPA60R520C6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8609
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRL6372PBF, 8.1 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 8.1 A,
制造商零件编号:
IRL6372PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4416
搜索
Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD60R520C6, 8.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 8.1 A,
制造商零件编号:
IPD60R520C6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7545
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRL6372PBF, 8.1 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 8.1 A,
制造商零件编号:
IRL6372PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8668
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Infineon LogicFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLI520NPBF, 8.1 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 8.1 A,
制造商零件编号:
IRLI520NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0507
搜索
Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP60R520E6, 8.1 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大连续漏极电流 8.1 A,
制造商零件编号:
IPP60R520E6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6928
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