规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR110PBF, 4.3 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
制造商零件编号:
IRFR110PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
540-9581
搜索
Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7422D2PBF, 4.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
制造商零件编号:
IRF7422D2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2452
查看其他仓库
Infineon 双 P沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF7304Q, 4.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
制造商零件编号:
AUIRF7304Q
品牌:
International Rectifier
库存编号:
760-4264
查看其他仓库
Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IPU50R950CE, 4.3 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-251封装
规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
制造商零件编号:
IPU50R950CE
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7614
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6401TRPBF, 4.3 A, Vds=12 V, 3引脚 微型封装
规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
制造商零件编号:
IRLML6401TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4713
搜索
DiodesZetex N沟道 Si MOSFET ZXMN2B14FHTA, 4.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
制造商零件编号:
ZXMN2B14FHTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-8036
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP5NK80ZFP, 4.3 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
制造商零件编号:
STP5NK80ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7787
搜索
DiodesZetex N沟道 Si MOSFET ZXMN2B14FHTA, 4.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
制造商零件编号:
ZXMN2B14FHTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2636
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC365P, 4.3 A, Vds=35 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
制造商零件编号:
FDC365P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9027
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR110TRPBF, 4.3 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
制造商零件编号:
IRFR110TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2768
搜索
Vishay P沟道 Si MOSFET SI8489EDB-T2-E1, 4.3 A, Vds=20 V, 4引脚 微型支脚封装
规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
制造商零件编号:
SI8489EDB-T2-E1
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1438
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET IRF7304TRPBF, 4.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
制造商零件编号:
IRF7304TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8850
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6401GTRPBF, 4.3 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
制造商零件编号:
IRLML6401GTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5163
搜索
Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML2244TRPBF, 4.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
制造商零件编号:
IRLML2244TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8661
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6401TRPBF, 4.3 A, Vds=12 V, 3引脚 微型封装
规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
制造商零件编号:
IRLML6401TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-316
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU110PBF, 4.3 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
制造商零件编号:
IRFU110PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4831
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML2244TRPBF, 4.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
制造商零件编号:
IRLML2244TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4438
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP5NK80Z, 4.3 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
制造商零件编号:
STP5NK80Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6623
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFI9630GPBF, 4.3 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
制造商零件编号:
IRFI9630GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1360
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET IRF7304PBF, 4.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
制造商零件编号:
IRF7304PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9349
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPG40PBF, 4.3 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
制造商零件编号:
IRFPG40PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9939
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP5NK80Z, 4.3 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
制造商零件编号:
STP5NK80Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5358
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP6A17GTA, 4.3 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
制造商零件编号:
ZXMP6A17GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2462
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRLU110PBF, 4.3 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
制造商零件编号:
IRLU110PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4884
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4900DY-T1-GE3, 4.3 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大连续漏极电流 4.3 A,
制造商零件编号:
SI4900DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3364
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