规格:最大功率耗散 6.25 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Nexperia P沟道 Si MOSFET PMN27UP, 5.7 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大功率耗散 6.25 W,
制造商零件编号:
PMN27UP
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2763
搜索
NXP N沟道 Si MOSFET PHK5NQ15T,518, 5 A, Vds=150 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 6.25 W,
制造商零件编号:
PHK5NQ15T,518
品牌:
Nexperia
库存编号:
657-1918
搜索
DiodesZetex FZT7053TA NPN 达林顿晶体管对, 1.5 A, Vce=100 V, HFE=1000, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
规格:最大功率耗散 6.25 W,
制造商零件编号:
FZT7053TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4418
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Nexperia 双 Si P沟道 MOSFET PMDPB80XP, 2.7 A, Vds=20 V, 8引脚 DFN-2020封装
规格:最大功率耗散 6.25 W,
制造商零件编号:
PMDPB80XP
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2744
搜索
NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMN25UN, 6 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大功率耗散 6.25 W,
制造商零件编号:
PMN25UN
品牌:
NXP
库存编号:
798-2754
查看其他仓库
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