规格:最大功率耗散 3000 mW,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
产品分类
(29)
半导体
(29)
筛选品牌
DiodesZetex (4)
Fairchild Semiconductor (5)
Vishay (20)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
DiodesZetex FZT853TA , NPN 晶体管, 6 A, Vce=100 V, HFE:20, 130 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
规格:最大功率耗散 3000 mW,
制造商零件编号:
FZT853TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
215-6638
搜索
DiodesZetex FZT857TA , NPN 晶体管, 3.5 A, Vce=300 V, HFE:15, 80 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
规格:最大功率耗散 3000 mW,
制造商零件编号:
FZT857TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7357
搜索
DiodesZetex FZT869TA , NPN 晶体管, 7 A, Vce=25 V, HFE:40, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
规格:最大功率耗散 3000 mW,
制造商零件编号:
FZT869TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7451
搜索
DiodesZetex ZXTN2010GTA , NPN 晶体管, 6 A, Vce=60 V, HFE:20, 130 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
规格:最大功率耗散 3000 mW,
制造商零件编号:
ZXTN2010GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7708
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDT458P, 3.4 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大功率耗散 3000 mW,
制造商零件编号:
FDT458P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0788
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9630SPBF, 6.5 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 3000 mW,
制造商零件编号:
IRF9630SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4249
搜索
Vishay BZG03C24TR 单路 齐纳二极管, 24V 6% 3 W, 2引脚 DO-214AC封装
规格:最大功率耗散 3000 mW,
制造商零件编号:
BZG03C24TR
品牌:
Vishay
库存编号:
699-7745
搜索
Vishay BZG03C100TR 单路 齐纳二极管, 100V 6% 3 W, 2引脚 DO-214AC封装
规格:最大功率耗散 3000 mW,
制造商零件编号:
BZG03C100TR
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4106
查看其他仓库
Vishay BZG03C130TR 单路 齐纳二极管, 130V 6% 3 W, 2引脚 DO-214AC封装
规格:最大功率耗散 3000 mW,
制造商零件编号:
BZG03C130TR
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4112
搜索
Vishay BZG03C10TR 单路 齐纳二极管, 10V 6% 3 W, 2引脚 DO-214AC封装
规格:最大功率耗散 3000 mW,
制造商零件编号:
BZG03C10TR
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4115
搜索
Vishay BZG03C30TR 单路 齐纳二极管, 30V 7% 3 W, 2引脚 DO-214AC封装
规格:最大功率耗散 3000 mW,
制造商零件编号:
BZG03C30TR
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4134
搜索
Vishay BZG03C51TR 单路 齐纳二极管, 51V 6% 3 W, 2引脚 DO-214AC封装
规格:最大功率耗散 3000 mW,
制造商零件编号:
BZG03C51TR
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4159
搜索
Vishay BZG03C180TR 单路 齐纳二极管, 180V 6% 3 W, 2引脚 DO-214AC封装
规格:最大功率耗散 3000 mW,
制造商零件编号:
BZG03C180TR
品牌:
Vishay
库存编号:
699-7733
搜索
Vishay BZG03C18TR 单路 齐纳二极管, 18V 6% 3 W, 2引脚 DO-214AC封装
规格:最大功率耗散 3000 mW,
制造商零件编号:
BZG03C18TR
品牌:
Vishay
库存编号:
699-7742
搜索
Vishay BZG03C200TR 单路 齐纳二极管, 200V 6% 3 W, 2引脚 DO-214AC封装
规格:最大功率耗散 3000 mW,
制造商零件编号:
BZG03C200TR
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4128
搜索
Vishay BZG03C27TR 单路 齐纳二极管, 27V 7% 3 W, 2引脚 DO-214AC封装
规格:最大功率耗散 3000 mW,
制造商零件编号:
BZG03C27TR
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4130
搜索
Vishay BZG03C20TR 单路 齐纳二极管, 20V 6% 3 W, 2引脚 DO-214AC封装
规格:最大功率耗散 3000 mW,
制造商零件编号:
BZG03C20TR
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4137
搜索
Vishay BZG03C39TR3 单路 齐纳二极管, 39V 5% 3 W, 2引脚 DO-214AC封装
规格:最大功率耗散 3000 mW,
制造商零件编号:
BZG03C39TR3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4146
搜索
Vishay BZG03C33TR 单路 齐纳二极管, 33V 6% 3 W, 2引脚 DO-214AC封装
规格:最大功率耗散 3000 mW,
制造商零件编号:
BZG03C33TR
品牌:
Vishay
库存编号:
699-7749
搜索
Vishay BZG05C5V6-E3-TR 单路 齐纳二极管, 5.6V 7% 3 W, 2引脚 DO-214AC封装
规格:最大功率耗散 3000 mW,
制造商零件编号:
BZG05C5V6-E3-TR
品牌:
Vishay
库存编号:
699-7758
查看其他仓库
Vishay BZG03C15TR 单路 齐纳二极管, 15V 6% 3 W, 2引脚 DO-214AC封装
规格:最大功率耗散 3000 mW,
制造商零件编号:
BZG03C15TR
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4121
搜索
Vishay BZG03C36TR 单路 齐纳二极管, 36V 6% 3 W, 2引脚 DO-214AC封装
规格:最大功率耗散 3000 mW,
制造商零件编号:
BZG03C36TR
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4143
搜索
Vishay BZG03C56TR 单路 齐纳二极管, 56V 7% 3 W, 2引脚 DO-214AC封装
规格:最大功率耗散 3000 mW,
制造商零件编号:
BZG03C56TR
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4152
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SUD23N06-31-GE3, 23 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大功率耗散 3000 mW,
制造商零件编号:
SUD23N06-31-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
636-5397
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6294, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 3000 mW,
制造商零件编号:
FDS6294
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0558
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号