规格:最大功率耗散 36 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Fairchild Semiconductor BD438STU , PNP 晶体管, 4 A, Vce=45 V, HFE:40, 3 MHz, 3引脚 TO-126封装
规格:最大功率耗散 36 W,
制造商零件编号:
BD438STU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5162
搜索
STMicroelectronics BD438 , PNP 晶体管, 4 A, Vce=45 V, HFE:30, 3 MHz, 3引脚 SOT-32封装
规格:最大功率耗散 36 W,
制造商零件编号:
BD438
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
109-078
搜索
Magnatec BD437 , NPN 晶体管, 4 A, Vce=45 V, HFE:30, 3 MHz, 3引脚 SOT-32封装
规格:最大功率耗散 36 W,
制造商零件编号:
BD437
品牌:
Magnatec
库存编号:
299-345
查看其他仓库
ON Semiconductor MJF44H11G , NPN 晶体管, 10 A, Vce=80 V, HFE:40, 20 MHz, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大功率耗散 36 W,
制造商零件编号:
MJF44H11G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
790-5390
搜索
ON Semiconductor MJF15031G , PNP 晶体管, 16 A, Vce=150 V, HFE:20, 10 MHz, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大功率耗散 36 W,
制造商零件编号:
MJF15031G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
792-4697
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD220N06L3 G, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大功率耗散 36 W,
制造商零件编号:
IPD220N06L3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7435
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD6612A, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大功率耗散 36 W,
制造商零件编号:
FDD6612A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9096
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMC6675BZ, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
规格:最大功率耗散 36 W,
制造商零件编号:
FDMC6675BZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9529
查看其他仓库
Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPD30N06S4L-23, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大功率耗散 36 W,
制造商零件编号:
IPD30N06S4L-23
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4593
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF260N60E, 15 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大功率耗散 36 W,
制造商零件编号:
FCPF260N60E
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4920
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRF610PBF, 3.3 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 36 W,
制造商零件编号:
IRF610PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0046
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5867NLT4G, 20 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 36 W,
制造商零件编号:
NTD5867NLT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2901
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF260N60E, 15 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大功率耗散 36 W,
制造商零件编号:
FCPF260N60E
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1121
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF614S-GE3, 2.7 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大功率耗散 36 W,
制造商零件编号:
SIHF614S-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2626
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR1N60ATRPBF, 1.4 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 36 W,
制造商零件编号:
IRFR1N60ATRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2777
搜索
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS8027S, 70 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大功率耗散 36 W,
制造商零件编号:
FDMS8027S
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4841
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDF08N60ZH, 8.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大功率耗散 36 W,
制造商零件编号:
NDF08N60ZH
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-7203
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU1N60APBF, 1.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-251封装
规格:最大功率耗散 36 W,
制造商零件编号:
IRFU1N60APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0660
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STMicroelectronics BD442 , PNP 双极晶体管, 4 A, Vce=80 V, HFE:15, 3 MHz, 3引脚 SOT-32封装
规格:最大功率耗散 36 W,
制造商零件编号:
BD442
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
686-8060
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STMicroelectronics BD437 , NPN 晶体管, 4 A, Vce=45 V, HFE:30, 3引脚 SOT-32封装
规格:最大功率耗散 36 W,
制造商零件编号:
BD437
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
714-0499
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR1N60APBF, 1.4 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大功率耗散 36 W,
制造商零件编号:
IRFR1N60APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1988
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRF710PBF, 2 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大功率耗散 36 W,
制造商零件编号:
IRF710PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0074
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Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC7672S, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
规格:最大功率耗散 36 W,
制造商零件编号:
FDMC7672S
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6294
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC8026S, 76 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
规格:最大功率耗散 36 W,
制造商零件编号:
FDMC8026S
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9544
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86248, 13 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 33封装
规格:最大功率耗散 36 W,
制造商零件编号:
FDMC86248
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8219
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