规格:最大功率耗散 600 mW,
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NXP PIMT1, 双 PNP 双极晶体管, 100 mA, Vce=40 V, HFE:120, 100 MHz, 6引脚 TSOP封装
规格:最大功率耗散 600 mW,
制造商零件编号:
PIMT1,115
品牌:
NXP
库存编号:
508-264
查看其他仓库
DiodesZetex DSS20201L-7 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=20 V, HFE:200, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大功率耗散 600 mW,
制造商零件编号:
DSS20201L-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-3399
查看其他仓库
DiodesZetex DSS4160V-7 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:250, 150 MHz, 6引脚 SOT-563封装
规格:最大功率耗散 600 mW,
制造商零件编号:
DSS4160V-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-1277
搜索
NXP BFG21W , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=4.5 V, HFE:40, 18000 MHz, 4引脚 CMPAK封装
规格:最大功率耗散 600 mW,
制造商零件编号:
BFG21W
品牌:
NXP
库存编号:
626-2513
搜索
Nexperia BC817DS,115, 双 NPN 晶体管, 500 mA, Vce=45 V, HFE:40, 6引脚 TSOP封装
规格:最大功率耗散 600 mW,
制造商零件编号:
BC817DS,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8524
搜索
ON Semiconductor 30C02MH-TL-E , NPN 晶体管, 700 mA, Vce=30 V, HFE:300, 540 MHz, 3引脚 MCPH封装
规格:最大功率耗散 600 mW,
制造商零件编号:
30C02MH-TL-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
792-5183
搜索
DiodesZetex DNBT8105-7 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:30, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大功率耗散 600 mW,
制造商零件编号:
DNBT8105-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
711-4923
搜索
Nexperia BC817DPN, 双 NPN,PNP 晶体管, 500 mA, Vce=45 V, HFE:40, 100 MHz, 6引脚 SOT-457封装
规格:最大功率耗散 600 mW,
制造商零件编号:
BC817DPN
品牌:
Nexperia
库存编号:
816-7704
搜索
ON Semiconductor 12A02MH-TL-E , PNP 晶体管, 1 A, Vce=12 V, HFE:300, 450 MHz, 3引脚 MCPH封装
规格:最大功率耗散 600 mW,
制造商零件编号:
12A02MH-TL-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
792-4953
搜索
ON Semiconductor 50A02MH-TL-E , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=50 V, HFE:200, 690 MHz, 3引脚 MCPH封装
规格:最大功率耗散 600 mW,
制造商零件编号:
50A02MH-TL-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
800-9386
搜索
DiodesZetex DPBT8105-7 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 150(最小值)MHz, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大功率耗散 600 mW,
制造商零件编号:
DPBT8105-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2655
搜索
Taiwan Semiconductor TSD2150ACY RMG , NPN 晶体管, 3 A, Vce=50 V, HFE:150, 100 MHz, 3引脚 SOT-89封装
规格:最大功率耗散 600 mW,
制造商零件编号:
TSD2150ACY RMG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
901-4109
查看其他仓库
ON Semiconductor DTC114TM3T5G NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SOT-723封装
规格:最大功率耗散 600 mW,
制造商零件编号:
DTC114TM3T5G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
801-0074
搜索
ON Semiconductor DTC124EM3T5G NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 22 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-723封装
规格:最大功率耗散 600 mW,
制造商零件编号:
DTC124EM3T5G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
801-0103
搜索
ON Semiconductor DTA114TM3T5G PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SOT-723封装
规格:最大功率耗散 600 mW,
制造商零件编号:
DTA114TM3T5G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
801-0058
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Broadcom ATF-33143-BLKG HEMT, 305 mA, 5.5 V, 4引脚 SOT-343封装
规格:最大功率耗散 600 mW,
制造商零件编号:
ATF-33143-BLKG
品牌:
Broadcom
库存编号:
629-6774
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET SCH2825-TL-E, 1.6 A, Vds=30 V, 6引脚 SCH封装
规格:最大功率耗散 600 mW,
制造商零件编号:
SCH2825-TL-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
791-9532
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DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN2230U-7, 2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大功率耗散 600 mW,
制造商零件编号:
DMN2230U-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2567
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Analog Devices ADG408BRZ 多路复用器, 单 8:1, 12 V电源, 16引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 600 mW,
制造商零件编号:
ADG408BRZ
品牌:
Analog Devices
库存编号:
412-529
查看其他仓库
Analog Devices ADG451BRZ 模拟单刀单掷开关, 四单刀单掷, 9 V电源, 16引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 600 mW,
制造商零件编号:
ADG451BRZ
品牌:
Analog Devices
库存编号:
106-6994
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Analog Devices ADG432BRZ 模拟单刀单掷开关, 四单刀单掷, 12 V电源, 16引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 600 mW,
制造商零件编号:
ADG432BRZ
品牌:
Analog Devices
库存编号:
523-7083
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Analog Devices ADG774BRZ 多路复用器, 四 2:1, 16Mbit/s, 3.3 V、5 V电源, 16引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 600 mW,
制造商零件编号:
ADG774BRZ
品牌:
Analog Devices
库存编号:
523-8856
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Maxim MAX333CPP+ 模拟单刀双掷开关, 四单刀双掷, 12 V,15 V,18 V,24 V,28 V电源, 20引脚 PDIP封装
规格:最大功率耗散 600 mW,
制造商零件编号:
MAX333CPP+
品牌:
Maxim
库存编号:
540-3549
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Vishay DG412DY-E3 模拟开关, 四单刀单掷, 15 V,18 V,24 V,28 V电源, 16引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 600 mW,
制造商零件编号:
DG412DY-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
629-7070
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Analog Devices ADG433BRZ 模拟单刀单掷开关, 四单刀单掷, 12 V电源, 16引脚 SOIC封装
规格:最大功率耗散 600 mW,
制造商零件编号:
ADG433BRZ
品牌:
Analog Devices
库存编号:
709-5575
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