规格:高度 4.8mm,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon ICE3A2065ELJ 交流-直流电源转换, SMPS 电流模式控制, 108 kHz最高开关频率, 最高 21 V输入, 8引脚 DIP封装
规格:高度 4.8mm,
制造商零件编号:
ICE3A2065ELJ
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7436
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Infineon ICE3B0565J 交流-直流电源转换, SMPS 电流模式控制, 76 kHz最高开关频率, 最高 26 V输入, 8引脚 DIP封装
规格:高度 4.8mm,
制造商零件编号:
ICE3B0565J
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7742
查看其他仓库
Infineon ICE3B1565J 交流-直流电源转换, SMPS 电流模式控制, 76 kHz最高开关频率, 最高 26 V输入, 最大为 650 V输出, 8引脚 DIP封装
规格:高度 4.8mm,
制造商零件编号:
ICE3B1565J
品牌:
Infineon
库存编号:
906-3069
搜索
AAVID THERMALLOY 黑色 散热器 437178, 19K/W, 50.8 x 13.5 x 4.8mm
规格:高度 4.8mm,
制造商零件编号:
DIP1497
品牌:
AAVID THERMALLOY
库存编号:
403-033
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AAVID THERMALLOY 黑色 散热器 437176, 26K/W, 30.5 x 13.5 x 4.8mm
规格:高度 4.8mm,
制造商零件编号:
DIP1495
品牌:
AAVID THERMALLOY
库存编号:
403-011
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Toshiba GT40J322(Q) N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 0.2μs, 3引脚 TO-3PN封装
规格:高度 4.8mm,
制造商零件编号:
GT40J322(Q)
品牌:
Toshiba
库存编号:
756-0546
搜索
RS Pro 8Ω 1W 36mm 微型扬声器 KDMG36008-10B
规格:高度 4.8mm,
制造商零件编号:
KDMG36008-10B
品牌:
RS Pro
库存编号:
754-2090
搜索
Fairchild Semiconductor FNB41060 N通道 智能功率模块, 3 相, 5 A, Vce=600 V, 26引脚 SPM26 AAA封装
规格:高度 4.8mm,
制造商零件编号:
FNB41060
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
800-7419
查看其他仓库
STMicroelectronics VN820B5-E MOSFET 功率驱动器, 9A, 非反相, 5引脚 P2PAK封装
规格:高度 4.8mm,
制造商零件编号:
VN820B5-E
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
445-359
搜索
STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STH310N10F7-6, 180 A, Vds=100 V, 7引脚 H2PAK封装
规格:高度 4.8mm,
制造商零件编号:
STH310N10F7-6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-2006
搜索
STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STH410N4F7-6AG, 200 A, Vds=40 V, 6针+焊片 H2PAK封装
规格:高度 4.8mm,
制造商零件编号:
STH410N4F7-6AG
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6467
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STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STH310N10F7-2, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 H2PAK封装
规格:高度 4.8mm,
制造商零件编号:
STH310N10F7-2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3707
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STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STH320N4F6-2, 200 A, Vds=40 V, 3引脚 H2PAK封装
规格:高度 4.8mm,
制造商零件编号:
STH320N4F6-2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7680
搜索
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STH320N4F6-6, 200 A, Vds=40 V, 8引脚 H2PAK封装
规格:高度 4.8mm,
制造商零件编号:
STH320N4F6-6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7683
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STMicroelectronics STripFET F6 系列 Si N沟道 MOSFET STH175N4F6-2AG, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 H2PAK封装
规格:高度 4.8mm,
制造商零件编号:
STH175N4F6-2AG
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5660
搜索
STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STH140N6F7-2, 80 A, Vds=60 V, 2引脚 H2PAK封装
规格:高度 4.8mm,
制造商零件编号:
STH140N6F7-2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-2836
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Fairchild Semiconductor Motion SPM 45 系列 电机驱动器 IC FNA41060B2, 用于交流感应, 10A, 5kHz, 13.5 → 16.5 V
规格:高度 4.8mm,
制造商零件编号:
FNA41060B2
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-9016
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Fairchild Semiconductor Motion SPM 45 系列 电机驱动器 IC FNB41560, 用于交流感应, 15A, 20kHz, 13.5 → 16.5 V
规格:高度 4.8mm,
制造商零件编号:
FNB41560
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-9035
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Wurth WE-LHMI 系列 74437349010 1000 nH ±20% 复合铁粉 多层贴片式电感器, 7050封装, SRF: 0.051GHz 10A dc 6.5mΩ Rdc
规格:高度 4.8mm,
制造商零件编号:
74437349010
品牌:
Wurth Elektronik
库存编号:
756-8562
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Wurth WE-LHMI 系列 74437349220 22000 nH ±20% 复合铁粉 多层贴片式电感器, 7050封装, SRF: 0.008GHz 2.1A dc 170mΩ Rdc
规格:高度 4.8mm,
制造商零件编号:
74437349220
品牌:
Wurth Elektronik
库存编号:
756-8594
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Wurth WE-LHMI 系列 74437349330 33000 nH ±20% 复合铁粉 多层贴片式电感器, 7050封装 1.9A dc 200mΩ Rdc
规格:高度 4.8mm,
制造商零件编号:
74437349330
品牌:
Wurth Elektronik
库存编号:
756-8604
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STMicroelectronics STripFET F3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STH240N75F3-6, 180 A, Vds=75 V, 8引脚 H2PAK封装
规格:高度 4.8mm,
制造商零件编号:
STH240N75F3-6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0516
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STMicroelectronics STripFET F3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STH180N10F3-6, 180 A, Vds=100 V, 8引脚 H2PAK-6封装
规格:高度 4.8mm,
制造商零件编号:
STH180N10F3-6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0519
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STH3N150-2, 2.5 A, Vds=1500 V, 3引脚 H2PAK-2封装
规格:高度 4.8mm,
制造商零件编号:
STH3N150-2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5861
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STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STH80N10F7-2, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 H2PAK-2封装
规格:高度 4.8mm,
制造商零件编号:
STH80N10F7-2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5877
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