品牌:Vishay,规格:高度 0.9mm,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI1403CDL-T1-GE3, 1.4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
品牌:Vishay,规格:高度 0.9mm,
制造商零件编号:
SI1403CDL-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3213
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Vishay 双 N沟道 MOSFET 晶体管 SI1912EDH-T1-E3, 1.13 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
品牌:Vishay,规格:高度 0.9mm,
制造商零件编号:
SI1912EDH-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3235
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI1417EDH-T1-E3, 2.7 A, Vds=12 V, 6引脚 SOT-363封装
品牌:Vishay,规格:高度 0.9mm,
制造商零件编号:
SI1417EDH-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3229
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Vishay Extreme TP8 系列 1μF ±20% SMD 钽电容器 TP8M105M010C, 10 V 直流, M 封装, 12Ω ESR, +125°C
品牌:Vishay,规格:高度 0.9mm,
制造商零件编号:
TP8M105M010C
品牌:
Vishay
库存编号:
871-7179
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Vishay Extreme TP8 系列 1μF ±20% SMD 钽电容器 TP8M105M020C, 20 V 直流, M 封装, 12Ω ESR, +125°C
品牌:Vishay,规格:高度 0.9mm,
制造商零件编号:
TP8M105M020C
品牌:
Vishay
库存编号:
871-7188
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Vishay Extreme TP8 系列 4.7μF ±20% SMD 钽电容器 TP8M475M010C, 10 V 直流, M 封装, 6Ω ESR, +125°C
品牌:Vishay,规格:高度 0.9mm,
制造商零件编号:
TP8M475M010C
品牌:
Vishay
库存编号:
871-7194
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Vishay Extreme TP8 系列 4.7μF ±20% SMD 钽电容器 TP8M475M6R3C, 6.3 V 直流, M 封装, 6Ω ESR, +125°C
品牌:Vishay,规格:高度 0.9mm,
制造商零件编号:
TP8M475M6R3C
品牌:
Vishay
库存编号:
871-7197
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Vishay SIP12109DMP-T1-GE4 降压调节器 步降 COT 控制器, 4.5 → 15 V输入, 4A最大输出, 0.6 → 5.5 V输出, 1.5 MHz最高开关频率, 16引脚 QFN封装
品牌:Vishay,规格:高度 0.9mm,
制造商零件编号:
SIP12109DMP-T1-GE4
品牌:
Vishay
库存编号:
830-6230
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Vishay N沟道 Si MOSFET 晶体管 SI1410EDH-T1-E3, 2.9 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
品牌:Vishay,规格:高度 0.9mm,
制造商零件编号:
SI1410EDH-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3210
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Vishay Extreme TP8 系列 10μF ±20% SMD 钽电容器 TP8M106M6R3C, 6.3 V 直流, M 封装, 5Ω ESR, +125°C
品牌:Vishay,规格:高度 0.9mm,
制造商零件编号:
TP8M106M6R3C
品牌:
Vishay
库存编号:
871-7181
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Vishay Extreme TP8 系列 2.2μF ±20% SMD 钽电容器 TP8M225M016C, 16 V 直流, M 封装, 12Ω ESR, +125°C
品牌:Vishay,规格:高度 0.9mm,
制造商零件编号:
TP8M225M016C
品牌:
Vishay
库存编号:
871-7185
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