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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Toshiba 2SC5171(Q) , NPN 双极晶体管, 2 A, Vce=180 V, HFE:50, 200 MHz, 3引脚 TO-220封装
规格:高度 8.1mm,
制造商零件编号:
2SC5171(Q)
品牌:
Toshiba
库存编号:
601-6405
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Toshiba 2SD2092(Q) , NPN 双极晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:150, 140 MHz, 3引脚 TO-220封装
规格:高度 8.1mm,
制造商零件编号:
2SD2092(Q)
品牌:
Toshiba
库存编号:
601-1832
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Toshiba 2SD1947A(F) , NPN 双极晶体管, 10 A, Vce=100 V, HFE:150, 70 MHz, 3引脚 TO-220封装
规格:高度 8.1mm,
制造商零件编号:
2SD1947A(F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
601-1810
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Toshiba 2SB1495(Q) PNP 达林顿晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE=2000, 3引脚 TO-220封装
规格:高度 8.1mm,
制造商零件编号:
2SB1495(Q)
品牌:
Toshiba
库存编号:
601-1422
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EPCOS B64290L0632X035 铁氧体磁环 环形磁芯, 应用于通用电子, 21.2 (mm直径) x 8.1mm
规格:高度 8.1mm,
制造商零件编号:
B64290L0632X035
品牌:
EPCOS
库存编号:
212-0948
搜索
Toshiba 2SB1481(Q) PNP 达林顿晶体管, 4 A, Vce=100 V, HFE=1000, 3引脚 TO-220封装
规格:高度 8.1mm,
制造商零件编号:
2SB1481(Q)
品牌:
Toshiba
库存编号:
601-1416
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Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 2SK2508(F), 13 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220NIS封装
规格:高度 8.1mm,
制造商零件编号:
2SK2508(F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
185-625
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Wurth WE SD 系列 10 μH ±20% 铁氧体 7447111 杆芯电感器, 2A Idc, 30mΩ Rdc
规格:高度 8.1mm,
制造商零件编号:
7447111
品牌:
Wurth Elektronik
库存编号:
617-1035
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Nichicon XK 系列 10nF 径向 PET 膜 聚酯薄膜电容器 QXK2E103KTP, ±10%容差, 125 V 交流,250 V 直流
规格:高度 8.1mm,
制造商零件编号:
QXK2E103KTP
品牌:
Nichicon
库存编号:
755-4399
搜索
Nichicon XK 系列 10nF 径向 PET 膜 聚酯电容器 (PET) QXK2G103KTP, ±10%容差, 200 V 交流,400 V 直流
规格:高度 8.1mm,
制造商零件编号:
QXK2G103KTP
品牌:
Nichicon
库存编号:
755-4450
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Fairchild Semiconductor Motion SPM 2 系列 电机驱动器 IC FNA21012A, 用于交流感应, 10A, 20kHz, 13.5 → 16.5 V
规格:高度 8.1mm,
制造商零件编号:
FNA21012A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-9000
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Nichicon XK 系列 47nF 径向 PET 膜 聚酯电容器 (PET) QXK2E473KTP, ±10%容差, 125 V 交流,250 V 直流
规格:高度 8.1mm,
制造商零件编号:
QXK2E473KTP
品牌:
Nichicon
库存编号:
755-4400
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Toshiba P沟道 MOSFET 晶体管 2SJ380(F), 12 A, Vds=100 V, 3引脚 SC-67封装
规格:高度 8.1mm,
制造商零件编号:
2SJ380(F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
185-401
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